Модель обрудования | Наибольший диаметр подложки, мм | Изготовитель |
---|---|---|
Установка газофазной эпитаксии AIXTRON 200 MOCVD |
50 | AIXTRON (Германия) |
Установка газофазной эпитаксии AIXTRON 200 R2 MOCVD |
50 | AIXTRON (Германия) |
Установка газофазной эпитаксии AIXTRON 200 RF MOCVD |
50 | AIXTRON (Германия) |
Установка газофазной эпитаксии AIXTRON 2000 HT MOCVD |
50 | AIXTRON (Германия) |
Установка газофазной эпитаксии Easy Tube 101 |
50 | FirstNano (США) |
Установка газофазной эпитаксии AIXTRON 2400 MOCVD |
75 | AIXTRON (Германия) |
Установка газофазной эпитаксии STE75 |
76,2 | ЗАО «НТО» (Россия) |
Установка газофазной эпитаксии Veeco Pioneer P125 MOCVD |
100 | Veeco (США) |
Установка газофазной эпитаксии STE3N |
100 | ЗАО «НТО» (Россия) |
Установка газофазной эпитаксии STE35 |
100 | ЗАО «НТО» (Россия) |
Установка газофазной эпитаксии STE3526 |
100 | ЗАО «НТО» (Россия) |
Установка газофазной эпитаксии planarGROW-6E |
150 | planarTECH (Корея) |
Установка газофазной эпитаксии TNSC UR25K MOCVD |
150 | TNSC (Япония) |
Установка газофазной эпитаксии TNSC UR26K MOCVD |
200 | TNSC (Япония) |